日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω
该设备是世界上唯yi使用2ω方法测量纳米薄膜在厚度方向上的导热率的商用设备。与其他方法相比，样品的生产和测量更加容易。
使用量化低K绝缘膜的热阻，以用于半导体器件的热设计绝缘膜的开发和散热的改善在热电薄膜中的应用评价特征可以测量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的热导率。使用热反射法通过温度幅度检测实现测量易于预处理的测量样品日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω
规格| 测量温度 | 逆时针 |
|---|---|
| 样品尺寸 | 宽10毫米x长10至20毫米x厚度0.3至1毫米（板） |
| 测量气氛 | 在真空中 |
关于“在绝热边界条件下通过2ω法评估薄片样品的导热系数”的论文
当金属薄膜以f / Hz的频率加热时，加热量变化为2f / Hz。
在充分散热的条件下，金属薄膜（0）–薄膜（1）–基板（s）的三层系统中金属薄膜表面的温度变化T（0）是一维的穿过金属薄膜/薄膜，以下公式用于表示传热模型的解析解。
（Λ：导热率W m -1 K -1，C：体积比热容JK -1 m -3，q：每体积的热量W m -3，d：厚度m，ω：角频率（=2πf） / s -1）
由于实数解（同相振幅）包含薄膜的信息，因此在相同条件下以不同频率进行测量时，同相振幅与（2ω）-0.5成比例。
的热导率λ 1所述的薄膜是通过以下公式获得。
（M：斜率，n：截距）
| 薄膜厚度/ nm | 19.9 | 51.0 | 96.8 |
|---|---|---|---|
| 导热系数/ Wm -1 K -1 | 0.82 | 1.12 | 1.20 |
